近日，我校特种功能材料重点实验室周少敏教授课题组在基于异质结纳米线的光电子器件研究上取得重要进展，该研究成果“Ultraviolet Electroluminescence of Light-Emitting Diodes Based on Single n-ZnO/p-AlGaN Heterojunction Nanowires”在国际纳米科学技术领域权威刊物《Nano Letters》（纳米快报）上发表（Nano letters 2013, 13, 5046−5050；SCI一区，影响因子IF=13.025)。该论文是由我校特种功能材料重点实验室研究生唐晓冰在导师周少敏教授（论文通讯作者）的指导下完成的。
n-ZnO/p-AlGaN异质结纳米线生长示意图
基于单根纳米线的光电子器件，尤其是发光二极管（LED），因其具有参数可控及容易实现器件一体化等优势引起研究者的广泛关注。当前已报道的异质结LED中，大多基于薄膜/薄膜、纳米线/薄膜，而更适用于光电器件制备的线/线型异质结却鲜为报道。周少敏教授课题组在前期ZnO和GaN的研究成果上，利用化学气相沉积技术，基于两步法控制合成出线/线型n-ZnO/p-AlGaN异质结纳米线，其合成示意图如上图所示。以Au/Ti作为电极对单根异质结纳米线进行性能研究时，发现：（1）该异质结纳米线具有类似二极管的整流特性；（2）该异质结纳米线具有优异的室温紫外电致发光性能，随着电流的增大，其发光强度先增加后减小，且电流为4 μA时发光强度最强。该项研究成果有望在纳米级发光器件及光源中得到应用。
周少敏,毕业于兰州大学，2003年获中国科学院固体物理研究所凝聚态物理博士学位，先后在香港城市大学和中国科学院理化技术研究所从事博士后工作。自2006年6月被聘为我校黄河学者以来，主要从事准一维半导体纳米材料合成及物理性质研究，陆续在Angew. Chem. Inte. Ed.，J. Mater. Chem.，Appl. Phys. Lett.等国际著名期刊发表论文50余篇。
