近日，纳米材料工程研究中心青年教师刘培松博士在材料科学领域国际顶级期刊Advanced Materials上发表了关于表面改性纳米铜颗粒用于忆阻器的研究成果，论文题目为“Nano-memristors with 4 mV switching voltage based on surface-modified copper nanoparticles”。
忆阻型电子突触是一种可用于模拟生物神经突触行为的电学仿生器件，可构建用于类脑计算的人工神经网络，满足人工智能时代数据爆炸式增长的存储需求。开发开关电压低于50 mV的忆阻器可以避免电路中信号放大问题，如神经元和神经网络电路中需要的生物电子突触。本文选择常用于纳米润滑领域的表面改性纳米铜颗粒为研究对象，构筑了模型器件。发现在超低开关电压（4 mV）下表现出阈值型电阻开关特性，创造了忆阻器开关电压的新纪录。同时，利用所制备的器件模拟构筑了脉冲神经网络、建立了激发神经元模型，发现该器件功耗比已报道的忆阻器（开关电压为40 mV）低大约10倍。
纳米材料工程中心刘培松博士为论文第一作者，张治军教授参与指导纳米铜颗粒的设计合成工作，河南大学为论文第一署名单位。该研究工作受到国家重点研发计划、国家自然科学基金、河南省科技计划项目、河南大学一流学科培育项目等资金资助。
文章链接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202201197
